发明名称 |
一种全介质反射膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的全介质反射膜采用密度为2.15-2.32g/cm<sup>3</sup>的非晶硅薄膜制作成高折射率膜层,采用密度为1.90-2.10g/cm<sup>3</sup>的非晶硅薄膜制作成低折射率膜层,高折射率膜层和低折射率膜层都是采用非晶硅薄膜,非晶硅薄膜只需通过交替改变PECVD沉积过程中的反应条件,即可得到密度不同的非晶硅薄膜,该反射膜在结构上只采用了非晶硅作为膜层材料,具有工艺连续、一次成膜的优点,同时,当前成熟的非晶硅薄膜生产工艺使得该种反射膜得以低成本、大面积制备,具有很强的实用意义。适合在光器件领域推广应用。 |
申请公布号 |
CN104237985B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201410480020.3 |
申请日期 |
2014.09.19 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
刘爽;陈逢彬;陈静;李尧;熊流峰;张尚剑;刘永;钟智勇 |
分类号 |
G02B5/08(2006.01)I;G02B1/10(2015.01)I;C23C16/24(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/08(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
李玉兴 |
主权项 |
一种全介质反射膜,包括基底(1)以及多层高折射率膜层(2),所述多层高折射率膜层(2)依次层叠的设置在基底(1)的上表面,所述相邻的两层高折射率膜层(2)之间设置有一层低折射率膜层(3),其特征在于:所述高折射率膜层(2)是密度为2.15‑2.32g/cm<sup>3</sup>的非晶硅薄膜,所述低折射率膜层(3)是密度为1.90‑2.10g/cm<sup>3</sup>的非晶硅薄膜。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |