| 发明名称 | 增进沟道阈值电压稳定性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种增进沟道阈值电压稳定性的方法，该方法包括：提供基底，所述基底具有N阱区、P阱区和浅槽隔离，所述浅槽隔离用于隔离所述N阱区和所述P阱区，所述N阱区和所述P阱区表面自下至上具有氧化物层和氮化物层；去除所述氮化物层，以露出所述氧化物层，露出的所述氧化物层形成剩余氧化物层，形成补偿氧化层；对所述剩余氧化物层进行氧化处理，以形成补偿氧化层。本发明的增进沟道阈值电压稳定性的方法，能够保证器件沟道阈值电压具有较佳的稳定性，提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103594339B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201210290691.4 | 申请日期 | 2012.08.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴智华;胡巍强 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种增进沟道阈值电压稳定性的方法，包括：提供基底，所述基底具有N阱区、P阱区和浅槽隔离，所述浅槽隔离用于隔离所述N阱区和所述P阱区，所述N阱区和所述P阱区表面自下至上具有氧化物层和氮化物层；去除所述氮化物层，以露出所述氧化物层，露出的所述氧化物层形成剩余氧化物层，所述剩余氧化物层的厚度具有非均匀性；对所述剩余氧化物层进行氧化处理，以形成补偿氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||