| 发明名称 | 一种引入TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种引入TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极结构及其制备方法。本发明以TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极呈现独特的火柴状结构。制作方法为首先将单层的聚苯乙烯纳米球模板利用旋涂法自组装在预先清洗、活化处理后的硅衬底上；随后采用电感应耦合等离子体干法刻蚀技术进行刻蚀上述样品；之后依次利用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物即可得到晶圆级三维硅纳米柱阵列基础结构；最后利用射频磁控溅射技术依次沉积TiN、Ti、Ge得到该电极结构。此独特的三维纳米复合电极结构可作为可集成微型锂/钠离子电池、燃料电池等储能系统模块应用在微/纳机械系统等智能微型传感半导体器件中。 | ||
| 申请公布号 | CN105576208A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201610069664.2 | 申请日期 | 2016.02.01 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 李静;岳闯;于英健 |
| 分类号 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/48(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M4/139(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | H01M4/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人 | 张松亭;游学明 |
| 主权项 | 一种引入TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极结构，其特征在于；包括Si/TiN/Ti/(Si或SnO<sub>2</sub>或TiO<sub>2</sub>或Ge)纳米柱阵列，组成该阵列的纳米柱阵列为上大下小的火柴形状，整体高度为500nm‑10μm，柱间距为100nm‑1μm。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市思明南路４２２号 | ||