| 发明名称 | 太阳能电池 | ||
| 摘要 | 根据本发明的太阳能电池包括：支撑基板；形成在所述支撑基板上的背电极层；形成在所述背电极层上的第一通槽；形成在所述背电极层上的光吸收层；以及形成在所述光吸收层上的前电极层，其中，通过所述第一通槽暴露的所述支撑基板的平均表面粗糙度(Ra1)在28nm至100nm的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN105580142A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201480053613.X | 申请日期 | 2014.09.23 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 沈洺奭 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/046(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 李琳;许向彤 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，包括：支撑基板；在所述支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的第一通槽；在所述背电极层上的光吸收层；以及在所述光吸收层上的前电极层，其中，通过所述第一通槽暴露的所述支撑基板的平均表面粗糙度(Ra1)在28nm至100nm的范围内。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||