半导体器件和形成垂直互连的薄外形WLCSP的方法

摘要

半导体晶圆具有多个第一半导体小片。第二半导体小片安装在第一半导体小片上。第一半导体小片的活性表面定向成朝向第二半导体小片的活性表面。密封剂沉积在第一半导体小片和第二半导体小片上。第二半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。导电柱绕第二半导体小片形成。TSV可形成为穿过第一半导体小片。互连结构形成在第二半导体小片的背面、密封剂和导电柱上。互连结构与导电柱电连接。第一半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。热沉或屏蔽层可形成在第一半导体小片的背面上。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有多个第一半导体小片的半导体晶圆，所述第一半导体小片均具有活性表面；将第二半导体小片安装到所述第一半导体小片上，所述第一半导体小片的所述活性表面定向成朝向所述第二半导体小片的活性表面；绕所述第二半导体小片形成垂直的互连结构，且所述垂直的互连结构延伸到所述第一半导体小片的活性表面；在所述第一半导体小片和所述第二半导体小片上沉积密封剂；移除所述密封剂、所述垂直的互连结构和所述第二半导体小片的与所述活性表面相对的非活性表面的一部分，从所述垂直的互连结构上方移除的所述密封剂使得所述垂直的互连结构和所述密封剂共面；形成积层互连结构，所述积层互连结构包括绝缘层和重新分布层，所述绝缘层和所述重新分布层各自与所述第二半导体小片的所述非活性表面和所述密封剂直接接触，所述积层互连结构的重新分布层与所述垂直的互连结构直接接触且电连接；在形成所述积层互连结构之后，移除所述第一半导体小片的与所述活性表面相对的非活性表面的一部分；和将所述半导体晶圆分割为单独的半导体器件。