| 发明名称 | 金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法。一种根据本发明示例性实施例的形成薄膜的方法包括以范围在大约1.5W/cm<sup>2</sup>至大约3W/cm<sup>2</sup>的功率密度以及以范围在大约0.2Pa至大约0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。即使当该阻挡层比许多传统的阻挡层薄时，该工艺也获得了防止不期望的来自相邻层的扩散的非晶金属薄膜阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN102191467B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201110034991.1 | 申请日期 | 2011.02.09 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 金柄范;朴帝亨;尹在亨;宋溱镐;金钟仁 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;罗延红 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述方法包括：在绝缘基底上形成栅电极；在栅电极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体；在半导体上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成数据线和漏电极中的至少一种，所述数据线和漏电极的至少一种包括非晶阻挡层和形成在非晶阻挡层上的铜层；在数据线和漏电极中的至少一种上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极，其中，像素电极连接到漏电极，其中，形成数据线和漏电极中的至少一种的步骤还包括通过溅射工艺形成阻挡层，以范围在1.5W/cm<sup>2</sup>至3W/cm<sup>2</sup>的功率密度以及以范围在0.2Pa至0.3Pa的惰性气体的压力执行溅射。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||