基于半导体量子点的多结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种基于半导体量子点的多结太阳能电池及其制作方法，包括以下步骤：GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层以及太阳能电池层制作出外延片，太阳能电池层包括N型接触层、GaInP顶电池、隧道结I、GaInAs中电池、隧道结II、InGaAs/GaAs量子点底电池和P型接触层，GaInP顶电池禁带宽度为1.80-1.92eV，GaInAs中电池禁带宽度为1.38-1.42eV，InGaAs/GaAs量子点底电池禁带宽度为1.0-1.3eV；利用外延片制作基于半导体量子点的多结太阳能电池。与传统多结太阳能电池相比，其器件结构与聚光系统简单，具有柔性，且制作工艺简单、生产成本低。

主权项

一种基于半导体量子点的多结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层以及太阳能电池层制作出太阳能电池外延片，所述太阳能电池层包括N型接触层、GaInP顶电池、隧道结I、GaInAs中电池、隧道结II、InGaAs/GaAs量子点底电池和P型接触层，所述GaInP顶电池的禁带宽度为1.80‑1.92eV，所述GaInAs中电池的禁带宽度为1.38‑1.42eV，所述InGaAs/GaAs量子点底电池的禁带宽度为1.0‑1.3eV；S2:在所述太阳能电池外延片的P型接触层表面沉积金属背电极层并黏贴在柔性载体上，腐蚀掉所述牺牲层，所述太阳能电池层与所述GaAs衬底无损分离后，在所述N型接触层表面沉积上电极和减反射膜，制作出基于半导体量子点的多结太阳能电池。