发明名称 电镀覆层的光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法
摘要 提出一种光电子半导体组件,其具有无衬底的光电子半导体芯片(1)和金属载体(2),其中所述光电子半导体芯片在上侧上具有第一主面(1a)并且在下侧上具有第二主面(1b),所述金属载体设置在光电子半导体芯片(1)的下侧上,其中金属载体(2)在至少一个横向方向(1)上超出光电子半导体芯片(1),并且金属载体(2)电镀地或者不通电地沉积在光电子半导体芯片(1)的第二主面(1b)上。
申请公布号 CN103140948B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201180044634.1 申请日期 2011.07.27
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 西格弗里德·赫尔曼;赫尔穆特·菲舍尔
分类号 H01L33/62(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 张春水;田军锋
主权项 光电子半导体组件,具有:‑无衬底的光电子半导体芯片(1),所述光电子半导体芯片在上侧上具有第一主面(1a)并且在下侧上具有第二主面(1b);‑金属载体(2),所述金属载体设置在所述光电子半导体芯片(1)的下侧上;以及‑电绝缘层(4),所述电绝缘层在所述金属载体的朝向所述光电子芯片(1)的外面和不具有所述光电子半导体芯片(1)的外面上覆盖所述金属载体(2),其中,‑所述电绝缘层(4)至少局部地覆盖所述光电子半导体芯片(1)的侧面(1c),‑所述电绝缘层(4)设计为用于反射要由所述光电子半导体芯片(1)在工作时发射的或者检测的电磁辐射,其中所述电绝缘层(4)显现出白色,‑所述金属载体(2)在至少一个横向方向(L)上超出所述光电子半导体芯片(1),‑所述金属载体(2)电镀地或者不通电地沉积在所述光电子半导体芯片(1)的第二主面(1b)上,‑所述金属载体(2)包括彼此电绝缘的子区域(2a,2b),其中所述子区域中的每个构成所述光电子半导体组件的电连接部位,其中所述电连接部位不同性,并且‑所述光电子半导体组件能够表面贴装。
地址 德国雷根斯堡