发明名称 一种将点状离子束注入机导入量产的方法
摘要 一种将点状离子束注入机导入量产的方法,包括:步骤S1:通过带状离子束注入机获取匹配系数为1.0的标准晶圆,并进一步获取方块电阻;步骤S2:通过点状离子束注入机,在测试晶圆上采用分割注入法获取剂量匹配系数为(1.0-a)的第一测试区、匹配系数为1.0的第二测试区、匹配系数为(1.0+b)的第三测试区,并进一步获取方块电阻;步骤S3:比较测试晶圆和标准晶圆之方块电阻,以测试晶圆和标准晶圆之方块电阻相等时的匹配系数为点状离子束注入机台的剂量匹配系数。本发明不仅提高整体设备利用率,减少剂量匹配过程中的晶圆使用量,降低生产成本;而且,通过本发明方法将所述点状离子束注入机导入量产,所获得的产品性能稳定、替代性强。
申请公布号 CN103594311B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201310566540.1 申请日期 2013.11.13
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 邱裕明;肖天金
分类号 H01J37/317(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种将点状离子束注入机导入量产的方法,其特征在于,所述将点状离子束注入机导入量产的方法包括:执行步骤S1:预设带状离子束注入机的匹配系数为1.0,通过所述带状离子束注入机获取匹配系数为1.0的标准晶圆,并进一步获取经过注入和退火工艺后的所述标准晶圆之方块电阻;执行步骤S2:通过所述点状离子束注入机,在测试晶圆上采用分割注入法获取剂量匹配系数为(1.0‑a)的第一测试区、匹配系数为1.0的第二测试区、匹配系数为(1.0+b)的第三测试区,并进一步获取经过注入和退火工艺后的所述测试晶圆之方块电阻,其中,0<a<1,0<b<1;执行步骤S3:比较所述测试晶圆之方块电阻和所述标准晶圆之方块电阻,并以所述测试晶圆之方块电阻和所述标准晶圆之方块电阻相等时的匹配系数为所述点状离子束注入机的剂量匹配系数。
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