一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍形有源区和位于所述鳍形有源区之间的隔离区；在所述隔离区和所述鳍形有源区上沉积伪栅极层；在所述伪栅极层上沉积掩膜层；平坦化所述掩膜层；透过所述掩膜层向所述伪栅极层进行离子注入并且退火；移除所述掩膜层；以及平坦化所述伪栅极层。根据本发明提供的半导体器件的制造方法，结合了离子注入来对伪栅极层进行平坦化。离子注入条件可以影响CMP工艺对伪栅极层的移除速度。本方法可以改善伪栅极顶部的粗糙度，有利于半导体器件中的金属栅极的制作，从而有利于改进半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍形有源区和位于所述鳍形有源区之间的隔离区；在所述隔离区和所述鳍形有源区上沉积伪栅极层；在所述伪栅极层上沉积掩膜层；平坦化所述掩膜层；透过所述掩膜层向所述伪栅极层进行离子注入并且退火；移除所述掩膜层；以及平坦化所述伪栅极层。