一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡柔性有机发光二极管的制备方法

摘要

一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡柔性有机发光二极管的制备方法，本发明涉及一种无氧化铟锡柔性有机发光二极管(OLED)的制备方法。本发明的目的是要解决目前无氧化铟锡柔性有机发光二极管无法兼具柔性和形状记忆效应高发光率的技术问题。本发明通过以下方法实现具有形状记忆效应的无氧化铟锡柔性有机发光二极管的制备：一、制备具有形状记忆效应的聚酰亚胺透明薄膜；二、制备透明石墨烯导电电极；三、制备有机发光二极管(OLED)。本发明方法制备的形状记忆柔性有机发光二极管可用于航空航天、建筑、工业，通讯等领域。

主权项

一种具有形状记忆效应的无氧化铟锡柔性有机发光二极管的制备方法，其特征在于：该制备方法按以下步骤进行：一、制备具有形状记忆效应的聚酰亚胺透明薄膜：将1,3‑双(3‑氨基苯氧基)苯加入到N,N‑二甲基乙酰胺中，在氮气保护和室温的条件下，搅拌20min～30min，再加入双酚A型二醚二酐，继续搅拌18h～24h，得到混合液，停止通入氮气；对混合液采用逐步升温和保温的方式进行热酰胺化，脱膜，用去离子水对脱下的薄膜进行洗涤，然后在温度为100℃～120℃的条件下干燥3h～5h，得到具有形状记忆效应的透明聚酰亚胺薄膜；所述的双酚A型二醚二酐和1,3‑双(3‑氨基苯氧基)苯的质量比为1:(0.1～1.5)；所述的双酚A型二醚二酐和N,N‑二甲基乙酰胺的质量比为1:(5～20)；所述的逐步升温和保温的方式进行热酰胺化的方式为：将混合液从室温以1℃/min～2℃/min的升温速率升温至80℃～100℃，在温度为80℃～100℃的条件下保温1h～2h，然后以1℃/min～2℃/min的升温速率升温至100℃～130℃，在温度为100℃～130℃的条件下保温1h～2h，之后升温至160℃～180℃，在温度为160℃～180℃的条件下保温1h～2h，继续以1℃/min～2℃/min的升温速率升温至180℃～200℃，在温度为180℃～200℃的条件下保温1h～2h，再以1℃/min～2℃/min的升温速率升温至200℃～250℃，在温度为200℃～250℃的条件下保温1h～2h，即完成逐步升温和保温的方式进行热酰胺化；二、制备透明石墨烯导电电极：①、将铜箔放置于石英管中部，对石英管的腔体抽真空至气压为2.0KPa～5.0KPa，以30mL/min～150mL/min的流速向抽完真空的石英管的腔体通入氢气，然后在氢气流速为30mL/min～150mL/min的保护下将石英管从室温加热至温度为1000℃～1100℃，在氢气流速为30mL/min～150mL/min的保护和温度为1000℃～1100℃的条件下保温30min～60min，在氢气流速为30mL/min～150mL/min的保护下以2℃/s～3℃/s的降温速率从1000～1100℃降温至950℃～1000℃，然后同时通入甲烷和氢气，在温度为950℃～1000℃的条件下保温3min～10min，停止通入甲烷，在氢气流速为30mL/min～150mL/min的保护下以2℃/s～10℃/s的降温速率从温度为950℃～1000℃冷却至室温，得到覆盖石墨烯层的铜箔；所述通入甲烷与氢气的气体流量比为1：(0.5～2)，氢气的流速为30mL/min～150mL/min；②、将聚甲基丙烯酸甲酯颗粒溶于苯甲醚，在室温下搅拌3h～5h，得到聚甲基丙烯酸甲酯溶液；将聚甲基丙烯酸甲酯溶液旋涂在步骤二①中石墨烯层表面上，使聚甲基丙烯酸甲酯膜完全覆盖在骤二①中石墨烯层表面上，即得到聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/铜箔三层结构；在温度为150℃～170℃的条件下热固化5min～10min；所述的聚甲基丙烯酸甲酯颗粒与苯甲醚的质量比为1:(10～25)；③、将步骤一中制备的具有形状记忆效应的聚酰亚胺薄膜与步骤二①中制备的聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/铜箔在180℃～200℃下热压10min～15min，得到聚酰亚胺薄膜/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/铜箔四层结构；最后将聚酰亚胺薄膜/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/铜箔四层结构放入质量分数为6％～15％的三氯化铁溶液中浸泡3h～6h，用去离子水冲洗至溶液无色后取出，得到聚酰亚胺/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯薄膜即为石墨烯导电电极；三、制备有机发光二极管：将步骤二③中得到的聚酰亚胺/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯薄膜依次用去离子水、丙酮和异丙醇分别浸泡3min～7min，在氮气保护下烘干，将步骤二③中得到的聚酰亚胺/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯薄膜表面采用喷墨打印的方法打印1层～5层聚3,4‑乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐，在氮气保护下温度为150℃～160℃的条件下热处理10min～20min，得到了结构层次为聚酰亚胺/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/聚3,4‑乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐的薄膜，将聚酰亚胺/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/聚3,4‑乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐的薄膜采用真空蒸镀法，在(5～10)×10^‑6kPa的压力下以的沉积速率依次沉积N,N′‑二苯基‑N,N′‑(1‑萘基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺，三(8‑羟基喹啉)铝和氟化锂薄膜，得到了结构层次为聚酰亚胺/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/聚3,4‑乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐/N,N′‑二苯基‑N,N′‑(1‑萘基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺/三(8‑羟基喹啉)铝/氟化锂的薄膜；最后采用喷墨打印的方法，打印1层～5层银电极，并在温度为150℃～160℃的条件下热处理20min～30min，最终得到了结构层次为聚酰亚胺/聚甲基丙烯酸甲酯/石墨烯/聚3,4‑乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐/N,N′‑二苯基‑N,N′‑(1‑萘基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺/三(8‑羟基喹啉)铝/氟化锂/银电极结构的有机发光二极管器件。