发明名称 处理衬底的方法和集成电路的工艺筛选的方法
摘要 本发明的各个实施例涉及一种用于处理衬底的方法和用于集成电路的工艺筛选的方法。根据各个实施例,一种用于处理衬底的方法可以包括:在该衬底之上形成电介质层,该电介质层可以包括多个测试区域;在该电介质层之上形成导电层以在该多个测试区域中接触该电介质层;同时在该多个测试区域中对该电介质层进行电学检测,其中该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的部分通过导电材料彼此导电连接;以及将所述该导电层分隔成所述该导电层的在该多个测试区域中接触所述该电介质层的各个多个部分。
申请公布号 CN105575840A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201510716311.2 申请日期 2015.10.29
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 R·策尔扎赫尔;P·伊尔斯格勒;E·格瑞布尔;M·皮尔克;A·默瑟
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 郑立柱
主权项 一种用于处理衬底的方法,包括:在所述衬底之上形成电介质层,所述电介质层包括多个测试区域;在所述电介质层之上形成导电层以在所述多个测试区域中接触所述电介质层;对在所述多个测试区域中的所述电介质层同时进行电学检测,其中,所述导电层的在所述多个测试区域中接触所述电介质层的部分,通过导电材料彼此导电连接;以及将所述导电层分隔开成为所述导电层的在所述多个测试区域中接触所述电介质层的部分。
地址 德国诺伊比贝尔格