| 发明名称 | 一种高压VDMOS器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压VDMOS器件及其制作方法。该高压VDMOS器件的栅极制作方法包括：在所述高压VDMOS器件的晶元正面制作沟槽；在形成沟槽的所述晶元正面制作栅极氧化层；在形成栅极氧化层的所述晶元正面制作栅极，其中，制作栅极的掩膜窗口与所述沟槽对准，且所述制作栅极的掩膜窗口的宽度大于所述沟槽的开口宽度。通过上述工艺过程，使得栅极填入沟槽中。在栅极有效长度不变的情况下，减小了栅极的横向宽度，从而实现在相同的芯片面积条件下提高元胞集成度，或者在相同的电流处理能力条件下缩小芯片面积。另外，由于栅极的有效长度没有缩减，不会对其他电参数的性能产生太大影响。 | ||
| 申请公布号 | CN105575813A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410549457.8 | 申请日期 | 2014.10.16 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 蔡远飞;何昌;姜春亮 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种高压VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述高压VDMOS器件的栅极制作包括以下步骤：在所述高压VDMOS器件的晶元正面制作沟槽；在形成沟槽的所述晶元正面制作栅极氧化层；在形成栅极氧化层的所述晶元正面制作栅极，其中，制作栅极的掩膜窗口与所述沟槽对准，且所述制作栅极的掩膜窗口的宽度大于所述沟槽的开口宽度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||