| 发明名称 | 蚀刻剂组合物及使用其制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于氮化物层的蚀刻剂组合物及使用其制造半导体装置的方法。以所述蚀刻剂组合物的总重量计，所述蚀刻剂组合物包含：约80重量％至约90重量％的量的磷酸、约0.02重量％至约0.1重量％的量的硅-氟化合物、以及其余为水。所述硅-氟化合物包含硅原子与氟原子之间的键结(Si-F键结)。可利用所述蚀刻剂组合物来实现相对于氧化物层的氮化物层的例如大于约200的高蚀刻选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN105573052A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201510387747.1 | 申请日期 | 2015.07.03 |
| 申请人 | 拉姆科技有限公司 | 发明人 | 吉埈仍;房哲源;金学默;张湧守;沈金噽 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨贝贝;臧建明 |
| 主权项 | 一种用于氮化物层的蚀刻剂组合物，其特征在于，包含：以所述蚀刻剂组合物的总重量计，80重量％至90重量％的量的磷酸；以所述蚀刻剂组合物的总重量计，0.02重量％至0.1重量％的量的硅‑氟化合物，所述硅‑氟化合物包含Si‑F键结；以及其余为水。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面朱北路285 | ||