| 发明名称 | MEMS多层线圈及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MEMS多层线圈及其制备方法，该MEMS多层线圈包括底层线圈和顶层线圈，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。制备方法包括以下步骤：S1：在玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，刻蚀出底层线圈后去胶；S2：溅射沉积底绝缘层；S3：溅射沉积磁性层，刻蚀出磁性调控层，并形成用于形成导电通道的过孔后去胶；S4：溅射沉积顶绝缘层；S5：刻蚀出导电通道的导电通孔后去胶；S6：溅射沉积顶层线圈金属层，用刻蚀出顶层线圈后去胶。本发明的MEMS多层线圈能够实现平面内的高精度磁场调控且具有结构简单紧凑、体积小等优点；制备方法工艺简单、成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN105572610A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201510977114.6 | 申请日期 | 2015.12.23 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 潘孟春;胡靖华;胡佳飞;赵建强;田武刚;陈棣湘;张琦 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01F5/00(2006.01)I;H01F41/04(2006.01)I;H01F41/12(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人 | 赵洪;谭武艺 |
| 主权项 | 一种MEMS多层线圈，包括底层线圈和顶层线圈，其特征在于，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院 | ||