| 发明名称 | 斜孔刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种斜孔刻蚀方法，其包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔；其中，刻蚀气体包括SF<sub>6</sub>和O<sub>2</sub>；SF<sub>6</sub>与O<sub>2</sub>的气流量比例、工艺压强、激励功率和偏压功率的设置方式为：通过增大SF<sub>6</sub>与O<sub>2</sub>的气流量比例，以及提高工艺压强、激励功率和偏压功率，而获得理想的斜孔刻蚀形貌。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其不仅可以获得理想的斜孔刻蚀形貌，即：倾斜角度在80～88°的范围内、侧壁平滑且无线宽损失，而且还可以提高刻蚀速率，从而既满足了TSV工艺的要求，又提高了工艺效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105565257A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410538323.6 | 申请日期 | 2014.10.13 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 谢秋实;李成强 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔；其中，所述刻蚀气体包括SF<sub>6</sub>和O<sub>2</sub>；所述SF<sub>6</sub>与O<sub>2</sub>的气流量比例、工艺压强、激励功率和偏压功率的设置方式为：通过增大所述SF<sub>6</sub>与O<sub>2</sub>的气流量比例，以及提高所述工艺压强、激励功率和偏压功率，而获得理想的斜孔刻蚀形貌。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||