使用气体脉动之深度矽蚀刻用方法

摘要

所揭露的技术包括使用连续气体脉动程序以蚀刻深度矽蚀刻部的方法，该连续气体脉动程序可蚀刻具有相对平滑剖面的高深宽比特征部。此方法提供大于时间多工蚀刻-沉积程序的蚀刻速率。本技术包括使用含有循环的交替化学物气体脉动程序的连续程序。其中一程序气体混合物包括含卤素矽气体与产生氧化物层的氧。第二程序气体混合物包括含卤素气体与蚀刻氧化物与矽的碳氟化物气体。

主权项

一种在基板上蚀刻深度矽特征部的方法，包含： 于一电浆处理系统中，设置一基板在一基板支架上，该基板具有一图案化遮罩层，该图案化遮罩层界定出使一矽表面裸露的开口； 将一第一程序气体混合物流入该电浆处理系统，该第一程序气体混合物包含矽、氧以及至少一卤素； 将一第二程序气体混合物流入该电浆处理系统，该第二程序气体混合物包含一含卤素气体与一碳氟化物气体； 自该第一程序气体混合物与该第二程序气体混合物形成一电浆，使得穿透该图案化遮罩层的该矽表面暴露于该电浆； 使用来自该第一程序气体混合物的产物与该电浆，在该基板内之一或更多矽特征部的侧壁与底表面上形成一氧化物层；以及 使用来自该第二程序气体混合物的产物及该电浆，蚀刻在该基板内的一或更多矽特征部。