半导体积体电路装置

摘要

于同一扩散层而进行相对动作之电晶体，通常系相对于扩散层作对称配置。本发明旨在提供一种半导体积体电路装置，使用一种布局，该布局舍去此一固定观念，以回避一部分与半导体积体电路装置设计相关之限制，而可减小尺寸并节约制造成本。

主权项

一种半导体积体电路装置，包含：扩散层，形成于半导体基板上；第1电晶体，形成于该扩散层；第2电晶体，形成于该扩散层；及第3电晶体，形成于该扩散层；且该第1电晶体中之源极或汲极之一方连接该第2电晶体中之源极或汲极之一方，该第1电晶体中之闸极连接该第2电晶体中之闸极，该第3电晶体中之源极或汲极之一方连接该第1电晶体中之该源极或该汲极之另一方，该第3电晶体中之该源极或该汲极之另一方连接该第2电晶体中之该源极或该汲极之另一方，该第3电晶体中之闸极连接该第1电晶体中之该闸极及该第2电晶体中之该闸极；且该第1电晶体中该闸极之宽度方向，与该第2电晶体中该闸极之宽度方向不同；且该第3电晶体中之该闸极及该第1电晶体中之该闸极，其宽度方向沿其延长线配置，该第3电晶体中之闸极宽度较该第1及该第2电晶体中之闸极宽度为长。