| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种有关半导体装置的电极或具有接合工序的半导体装置的制造方法，本发明要解决的问题是(1)由于使用Al电极而使半导体装置具有高电阻；(2)Al与Si会形成合金；(3)利用溅射法形成的膜具有高电阻；(4)在接合工序中，若接合面的凹凸较大则发生接合不良。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括：金属衬底或形成有金属膜的衬底；利用热压合法与金属衬底或金属膜接合的金属衬底或金属膜上的铜(Cu)镀膜；Cu镀膜上的阻挡膜；阻挡膜上的单晶硅膜；单晶硅膜上的电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101877366B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201010171623.7 | 申请日期 | 2010.04.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 藤井照幸;大岛浩平;丸山纯矢;下村明久 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：绝缘衬底；在所述绝缘衬底上且与所述绝缘衬底直接接触的金属膜；在所述金属膜上且与所述金属膜直接接触的铜镀膜；在所述铜镀膜上且与所述铜镀膜直接接触的阻挡膜；在所述阻挡膜上的光电转换层；在所述光电转换层上的电极层；在所述金属膜上且与所述金属膜直接接触的第一布线，所述第一布线不与所述铜镀膜重叠；以及在所述电极层上且与所述电极层直接接触的第二布线，其中，所述阻挡膜是钛(Ti)膜、氮化钽膜、钽(Ta)膜和钨(W)膜中的一种。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||