发明名称 |
发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统 |
摘要 |
本发明涉及发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统。发光器件包括发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及第一和第二导电半导体层之间的有源层;至少部分地位于发光结构上的钝化层;第一导电半导体层上的第一电极;以及第一电极和钝化层上的第二电极。 |
申请公布号 |
CN102044612B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201010513401.9 |
申请日期 |
2010.10.15 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
裵贞赫;郑泳奎;朴径旭 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层;至少部分地位于所述发光结构上的钝化层;所述第一导电半导体层上的第一电极;所述第一电极和所述钝化层上的第二电极;以及所述发光结构下的导电支撑基板,其中所述导电支撑基板、所述发光结构、所述第一电极、以及所述第二电极的至少一些部分在垂直方向上相互重叠,其中所述钝化层直接接触所述发光结构的顶表面和横向侧,并且其中所述钝化层直接接触所述导电支撑基板的顶表面。 |
地址 |
韩国首尔 |