利用原子层沉积制备薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种利用原子层沉积制备薄膜的方法，所述方法通过前驱体源及温度调控数据库来识别前驱体源是否为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源，并根据识别出的前驱体源来控制反应腔室和样品的温度，可以实现在保证腔室真空度的情况下，抑制反应腔室各处的寄生化学气相沉积（CVD）反应，使成膜基底处于最优的原子层沉积所需温度，充分吸附所需前驱体源，同时解吸附需要排除的副产物，由此制备高质量的薄膜材料。

主权项

利用原子层沉积制备薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)将第一种前驱体源通入原子层沉积设备的反应腔室中；步骤(2)检测所述第一种前驱体源，并与前驱体源及温度调控数据库比对，识别所述第一种前驱体源是否为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源；所述前驱体源及温度调控数据库包括适用于原子层沉积和化学气相沉积的前驱体源，以及对应前驱体源进行化学气相沉积反应的样品的温度范围；步骤(3)当识别出所述第一种前驱体源为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源时，根据所述前驱体源及温度调控数据库中对应前驱体源进行化学气相沉积反应的样品的温度范围，调控样品的加热温度，在样品上进行第一次原子层沉积；所述样品的加热温度根据不同的前驱体源控制在300℃～600℃，所述样品的加热温度处于适用于原子层沉积所需温度，低于适用于化学气相沉积所需温度；当识别出所述第一种前驱体源为仅适用于原子层沉积的前驱体源时，按照原子层沉积反应的常规参数在样品上进行第一次原子层沉积；步骤(4)将第二种前驱体源通入所述反应腔室中；步骤(5)检测所述第二种前驱体源，并与所述前驱体源及温度调控数据库比对，识别所述第二种前驱体源是否为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源；步骤(6)当识别出所述第二种前驱体源为原子层沉积和化学气相沉积同时适用的前驱体源时，根据所述前驱体源及温度调控数据库中对应前驱体源进行化学气相沉积反应的样品的温度范围，调控样品的加热温度，在样品上进行第二次原子层沉积；所述样品的加热温度根据不同的前驱体源控制在300℃～600℃，所述样品的加热温度处于适用于原子层沉积所需温度，低于适用于化学气相沉积所需温度；当识别出所述第二种前驱体源为仅适用于原子层沉积的前驱体源时，按照原子层沉积反应的常规参数在样品上进行第二次原子层沉积；步骤(7)调整样品上沉积物表面反应活性至第一次通入第一种前驱体源之前的状态；步骤(8)循环重复步骤(1)至步骤(7)，获得原子层沉积薄膜。