发明名称 |
纳米晶体的合成、盖帽和分散 |
摘要 |
本发明描述了半导体纳米晶体和它们在溶剂和其他介质中的分散体的制备。在此所描述的纳米晶体具有小的(1-10nm)的颗粒尺寸和最少的聚集,可高产量地合成。在所合成的纳米晶体以及经受了帽子交换反应的纳米晶体上的盖帽剂可导致在极性和非极性溶剂中的稳定的悬浮液的形成,之后所述悬浮液可导致高质量的纳米复合物膜的形成。 |
申请公布号 |
CN102947218B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201180030661.3 |
申请日期 |
2011.04.25 |
申请人 |
皮瑟莱根特科技有限责任公司 |
发明人 |
Z·S·高南·威廉姆斯;Y·王;罗伯特·J·威塞克;X·白;L·郭;赛琳娜·I·托马斯;W·徐;J·徐 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2006.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
吴大建;刘华联 |
主权项 |
一种制造纳米晶体的溶剂热的方法,包括:将所述纳米晶体的至少一种前体溶解或混合于至少一种溶剂中,以产生溶液;将所述溶液加热到250℃到350℃范围内的温度下,以形成所述纳米晶体,其中,所述至少一种溶剂含水,和所述纳米晶体包括氧化铪、氧化锆、铪‑锆氧化物和钛‑锆氧化物中的至少一种。 |
地址 |
美国马里兰州 |