发明名称 | 半导体激光元件 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体激光元件,即使对多个串联连接实现的用途,也能够有效地发挥作用。本发明的半导体激光元件具备:在表面形成有脊的半导体层叠体、在所述脊上与所述半导体层叠体接触配置的沿长度方向延伸的第一电极层、从该第一电极层的侧面至少将一部分的上面覆盖的电流注入阻止层、配置在该电流注入阻止层的第二电极层,所述电流注入阻止层以所述第一电极层和所述半导体层叠体的接触面积的18%~80%与所述第一电极层接触,所述第二电极层与所述第一电极层的一部分接触。 | ||
申请公布号 | CN105576500A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
申请号 | CN201510727015.2 | 申请日期 | 2015.10.30 |
申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 平尾刚 |
分类号 | H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/042(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 刘晓迪 |
主权项 | 一种半导体激光元件,其特征在于,具备:在表面形成有脊的半导体层叠体;在所述脊上与所述半导体层叠体接触配置的沿长度方向延伸的第一电极层;从该第一电极层的侧面至少将上面的一部分覆盖的电流注入阻止层;配置在该电流注入阻止层上的第二电极层,所述电流注入阻止层以所述第一电极层和所述半导体层叠体的接触面积的18%~80%与所述第一电极层接触,所述第二电极层与所述第一电极层的一部分接触。 | ||
地址 | 日本德岛县 |