发明名称 |
一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其可控制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法,包括如下步骤:在单晶生长基底上加载催化剂,退火后,在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应,并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米,这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试,其开电流密度达到380μA/μm,跨导达到102.5μS/μm,均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。 |
申请公布号 |
CN105565292A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201410594881.4 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
张锦;胡悦;康黎星;赵秋辰;张树辰 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
一种制备超高密度单壁碳纳米管水平阵列的方法,包括如下步骤:在单晶生长基底上加载催化剂,退火后,在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应,并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长,生长完毕即在所述单晶生长基底上得到所述超高密度单壁碳纳米管水平阵列。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |