一种半导体硅片机械抛光清洗液及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体硅片化学机械抛光清洗液及其制备方法，按照重量份的原料包括：按照重量份的原料包括：柠檬酸2-4份、柠檬酸氢二铵2-4份、四甲基氢氧化铵0.1-0.3份、四丙基氢氧化铵0.1-0.3份、乙醇胺0.1-0.2份、聚醚表面活性剂0.4-0.8份、氯化钾0.1-0.4份、氯化钠0.1-0.3份、过硫酸钠0.01-0.1份、去离子水20-30份、二氧化硅2-4份。本发明能降低清洗剂的表面张力，可以快速剥离掉表面污染物，有效清洗硅片表面，降低硅表面粗糙度；抑制金属杂质对硅片的污染，能减少氧化物的沉淀；成本低，对环境无污染，可彻底清洗污染物；有效根除了移动金属离子的扩散，提高了芯片的可靠性，提高了生产的良率。

主权项

一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：柠檬酸2‑4份、柠檬酸氢二铵2‑4份、四甲基氢氧化铵0.1‑0.3份、四丙基氢氧化铵0.1‑0.3份、乙醇胺0.1‑0.2份、聚醚表面活性剂0.4‑0.8份、氯化钾0.1‑0.4份、氯化钠0.1‑0.3份、过硫酸钠0.01‑0.1份、去离子水20‑30份、二氧化硅2‑4份。