| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：在所述栅极两侧的衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成应力层，对所述应力层进行掺杂，形成源极和漏极之后，对所述应力层进行五族离子注入，注入的五族离子包括锑离子、铋离子中的一种或两种，然后在所述应力层上形成金属硅化物层。锑离子或铋离子的原子半径较大，在退火过程中不容易迁移，这样在退火过程以及后续的工艺中，锑离子或铋离子容易控制在金属硅化物层和应力层的界面处，能够降低金属硅化物层和应力层之间的界面势垒，进而能够减小金属硅化物层和应力层的界面处的串联接触电阻，使得后续形成的导电插塞与源极、导电插塞与漏极之间导电性增强。 | ||
| 申请公布号 | CN105575810A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410534688.1 | 申请日期 | 2014.10.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周祖源 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述栅极两侧的衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成应力层，对所述应力层进行掺杂，形成源极和漏极；对所述应力层进行五族离子注入，注入的五族离子包括锑离子、铋离子中的一种或两种；在所述应力层上形成金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||