| 发明名称 | 具有抗衰层的发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种具有抗衰层的发光二极管，设有：一砷化镓衬底，该砷化镓衬底上设有分布布拉格反射器，分布布拉格反射器上设有n型砷磷化铝铟抗衰层，n型砷磷化铝铟抗衰层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有P型窗口层、P型窗口层上设有P型盖帽层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型通过在分布布拉格反射器与n型磷化铝铟限制层之间插入一层经过设计的砷磷化铝铟抗衰层，不仅可以降低载流子受到该界面处界面散射的几率，增加了载流子注入效率，有效地降低了生长于其上的量子阱有源区的负面效应：而且，还可以进一步降低发光二极管的寿命衰减。 | ||
| 申请公布号 | CN205231094U | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201520930868.1 | 申请日期 | 2015.11.20 |
| 申请人 | 天津中环新光科技有限公司 | 发明人 | 王晓晖;刘佩;张业民;陈宇;张荣勤;宋京 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人 | 高凤荣 |
| 主权项 | 一种具有抗衰层的发光二极管，其特征在于：设有：一砷化镓(GaAs)衬底，该砷化镓(GaAs)衬底上设有分布布拉格反射器(DBR)，分布布拉格反射器(DBR)上设有n型砷磷化铝铟(In<sub>x</sub>Al<sub>1‑x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1‑y</sub>)抗衰层，n型砷磷化铝铟(In<sub>x</sub>Al<sub>1‑x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1‑y</sub>)抗衰层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有P型窗口层、P型窗口层上设有P型盖帽层，通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号 | ||