| 摘要 |
Solarzellenstapel aufweisend eine erste Halbleiter-Solarzelle, wobei die erste Halbleiter-Solarzelle einen p-n Übergang aus einem ersten Material mit einer ersten Gitterkonstanten aufweist, und eine zweite Halbleiter-Solarzelle, wobei die zweite Halbleiter-Solarzelle einen p-n Übergang aus einem zweiten Material mit einer zweiten Gitterkonstanten aufweist, und die erste Gitterkonstante um mindestens 0,008 Å kleiner als die zweite Gitterkonstante ist, und einen metamorphen Puffer, wobei der metamorphe Puffer zwischen der ersten Halbleiter-Solarzelle und der zweiten Halbleiter-Solarzelle ausgebildet ist, und der metamorphe Puffer eine Abfolge von drei Schichten umfasst und die Gitterkonstante bei der Abfolge in Richtung der zweiten Halbleitersolarzelle ansteigt, und die Gitterkonstanten der Schichten des metamorphen Puffers größer als die erste Gitterkonstante sind, wobei zwei Schichten des Puffers eine Dotierung aufweisen, und wobei der Unterschied in der Dotierstoffkonzentration zwischen den beiden Schichten größer als 4E17 cm -3 ist. |
