晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置

摘要

本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。

主权项

一种晶体管，所述晶体管包括：沟道层，包括氧化物半导体；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层，覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层且第一钝化层中不包含氟；第二钝化层，包含氟且位于第一钝化层上，其中，第二钝化层包括从由掺杂F的氧化硅层、掺杂F的氮化硅层、掺杂F的氮氧化硅层和它们的组合组成的组中选择的至少一种，其中，第二钝化层直接接触到第一钝化层的全部的上表面，并且第一钝化层插入在第二钝化层与源极和漏极之间，其中，沟道层包括HfInZnO作为氧化物半导体，其中，第一钝化层具有比第二钝化层大的厚度。