薄膜晶体管

摘要

本发明名称为“薄膜晶体管”。提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括覆盖栅电极的栅绝缘层、与栅绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源区和漏区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。半导体层包括具有凹凸形状且在栅绝缘层侧上形成的微晶半导体区和与微晶半导体区接触的非晶半导体区。在半导体层与布线之间提供势垒区。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：栅电极；栅绝缘层，在所述栅电极上方；半导体层，在所述栅绝缘层上方，所述半导体层与所述栅电极重叠；杂质半导体层，在所述半导体层上方；第一非晶区；第二非晶区；以及布线，在所述杂质半导体层、所述第一非晶区和所述第二非晶区上方，所述布线电连接到所述杂质半导体层，其中所述半导体层包括具有凹凸表面的微晶半导体区和非晶半导体区，其中所述非晶半导体区包含半导体晶粒，其中所述第一非晶区在所述微晶半导体区的侧表面与所述布线之间，其中所述第二非晶区在所述非晶半导体区的侧表面与所述布线之间，以及其中通过使部分所述微晶半导体区变为非晶而形成所述第一非晶区。