一种LPCVD沉积多晶硅的方法

摘要

本发明揭示了一种LPCVD沉积多晶硅的方法，通过在沉积之前分阶段升温，以及在沉积之后分阶段降温，从而使管壁上的沉积颗粒物在温度变化过程中能够脱落，然后利用同步的氮气吹洗，保证这些颗粒物不会对晶圆表面造成污染，不仅增加了多晶硅薄膜的沉积品质，同时由于减少内管在单次沉积过程中累计的沉积颗粒物，增加了内管的检修周期，从而提升了生产效率。

主权项

一种LPCVD沉积多晶硅的方法，其特征在于：包括待机阶段、晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、内管清洗阶段、模拟沉积阶段、沉积阶段、后清除阶段、返压阶段以及晶舟卸载阶段，其中所述抽真空阶段和所述内管清洗阶段中具有升温步骤，该升温步骤将内管内的温度从待机温度升温到沉积温度，所述后清除阶段中具有降温步骤，该降温步骤将内管内温度从沉积温度降到待机温度，抽真空阶段中的升温步骤包括三个阶段，分别为：以真空泵30％的抽力进行慢抽同时温度上升10度、全开小抽阀抽气同时温度上升10度以及全开大抽阀抽气同时温度上升20度，内管清洗阶段中的升温步骤包括通过三路氮气管路以及硅烷管路通氮气，对内管进行吹洗，同时温度上升20度。