| 发明名称 | 一种MOSFET器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种MOSFET器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；在半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；以栅极间隔壁为掩膜，蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁和所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；以所述第二间隔壁为掩膜各向同性过蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽表面选择性外延生长外延层，外延同时进行与源漏相反类型的原位掺杂；蚀刻去除所述第二间隔壁；选择性外延生长源漏，外延同时进行原位掺杂；在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁。本发明所述方法可以消除现有技术中源/漏的横向扩散，减小源漏串联电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103531472B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201210228655.5 | 申请日期 | 2012.07.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 卜伟海;王文博 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种MOSFET器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；以所述栅极间隔壁为掩膜，蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁和所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；以所述第二间隔壁为掩膜各向同性过蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽表面选择性外延生长外延层，外延同时进行与源漏相反类型的原位掺杂，以消除源漏的横向扩散，减小源漏串联电阻；蚀刻去除所述第二间隔壁；选择性外延生长源漏，外延同时进行原位掺杂；在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||