一种基于光致发光的太阳能硅片分选系统及方法

摘要

本发明公开一种基于光致发光的太阳能硅片分选系统及方法，该系统包括激光发射装置、数据采集装置及上位机。所述激光发射装置与上位机电性连接，用于向待分选硅片的表面照射激光。所述数据采集装置与上位机电性连接，用于采集待分选硅片反馈的荧光信号。所述上位机用于对荧光信号分析，获取待分选硅片的位错密度信息和杂质含量信息，确定硅片的等级，并根据多晶硅铸锭中硅片的位错密度和杂质含量的变化，分析多晶铸锭过程中的不足。本发明可以有效分选不同性能的硅片，去除高位错密度或高杂质含量的低效硅片，从而避免电池因低效硅片影响整个电池的转换效率，同时，可以分析多晶铸锭过程中出现的不良状况，对多晶铸锭进行过程优化。

主权项

一种基于光致发光的太阳能硅片分选系统，其特征在于，包括激光发射装置、数据采集装置及上位机；所述激光发射装置与上位机电性连接，用于根据上位机输出的指令，向待分选硅片的表面照射激光；其中，所述激光发射装置选用激光器；所述数据采集装置与上位机电性连接，用于采集所述待分选硅片反馈的荧光信号，输出给上位机；其中，所述数据采集装置选用照相机；所述上位机与激光发射装置、数据采集装置电性连接，用于对所述荧光信号进行分析，获取所述待分选硅片的位错密度信息和杂质含量信息，按照预设等级划分规则，确定该待分选硅片的等级，并根据多晶硅铸锭中硅片的位错密度和杂质含量的变化，分析多晶铸锭过程中的不足；所述预设等级划分规则具体包括：一、满足如下条件的为优等硅片：位错等级在0‑800，杂质等级在0‑1200；若待分选硅片确定为优等硅片，则检片机将其送入1#检片盒；二、满足如下条件的为正常等硅片：位错等级在800‑2000，杂质等级在1200‑2500；若待分选硅片确定为正常硅片，则检片机将其送入2#检片盒；三、满足如下条件的为异常等硅片：位错等级大于2000，杂质等级大于2500；若待分选硅片确定为异常硅片，则检片机将其送入3#检片盒；其中，所述上位机选用计算机。