半导体器件扇出封装结构的制作方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件扇出封装结构的制作方法，包括：制作半导体器件柱状凸点单体以及再布线基板，将半导体器件柱状凸点单体倒装于再布线基板上，回流实施树脂填充；制作再布线基板包括：在载板表面形成聚合层，在聚合层上形成多个第一开口；在聚合层的正面涂上感光膜，对感光膜进行曝光显影形成图案；采用电镀方法在聚合层表面以及第一开口内形成再布线金属板，再布线金属板的厚度根据半导体器件柱状凸点单体中的芯片所需的电流而匹配；在再布线金属板上形成焊料凸点。本申请以载板代替种子层，在再布线基板形成后可直接去除；再布线金属板的厚度可根据半导体器件所需的电流而匹配，两两再布线金属板间隔进一步缩小，提高封装精度。

主权项

一种半导体器件扇出封装结构的制作方法，其特征在于，包括：制作半导体器件柱状凸点单体及再布线基板，将所述半导体器件柱状凸点单体倒装于所述再布线基板上，以及回流实施树脂填充；其中，制作所述再布线基板包括：在载板表面形成聚合层，在所述聚合层上形成多个第一开口；在所述聚合层的正面涂上感光膜，对所述感光膜进行曝光显影形成图案；采用电镀方法在所述聚合层的表面以及所述第一开口内形成再布线金属板，所述再布线金属板的厚度根据所述半导体器件柱状凸点单体中的芯片所需的电流而匹配；在所述再布线金属板上形成焊料凸点。