MEMS和CMOS集成芯片及传感器

摘要

本发明公开了一种MEMS和CMOS集成芯片及传感器，包括：第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子和机械结构层；在第一衬底上形成有第一CMOS结构，在第二衬底上形成有第二CMOS结构，机械结构层形成有第一MEMS结构，且第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接；在第一衬底中形成有至少一个第一过孔，第一过孔的一端与第一CMOS结构电性连接，且第一过孔的另一端与相应的连接端子电性连接，和/或，在第二衬底中形成有至少一个第二过孔，第二过孔的一端与第二CMOS结构电性连接，且第二过孔的另一端与相应的连接端子电性连接。上述方案有效的缩小了CMOS结构的占用集成芯片的面积，进而缩小了MEMS和CMOS集成芯片的面积。

主权项

一种MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，包括：第一衬底、第二衬底、至少一个连接端子，以及，位于所述第一衬底和第二衬底之间的机械结构层；其中，在所述第一衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第一CMOS结构，在所述第二衬底朝向所述机械结构层一侧形成有第二CMOS结构，所述机械结构层形成有第一MEMS结构，且所述第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接；在所述第一衬底中形成有至少一个第一过孔，所述第一过孔的一端与所述第一CMOS结构电性连接，且所述第一过孔的另一端与相应的所述连接端子电性连接，和/或，在所述第二衬底中形成有至少一个第二过孔，所述第二过孔的一端与所述第二CMOS结构电性连接，且所述第二过孔的另一端与相应的所述连接端子电性连接。