| 发明名称 | 带碳化硅膜基板及其制造方法、以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供带碳化硅膜基板及其制造方法、以及半导体装置。带碳化硅膜基板具有硅基板(2)、SiC膜(3)以及掩膜(4)，SiC膜(3)具有在硅基板(2)上具备开口部(35)的膜(31)和设置在膜(31)上侧的膜(32)，掩膜(4)具有设置在硅基板(2)上侧且具备开口部(45)的掩膜(41)、及覆盖位于开口部(35)的掩膜(41)和开口部(35)的侧面(36)的至少一部分且具有开口部(46)的掩膜(42)。开口部(45)的宽度W1、掩膜(41)的厚度T1[μm]、与开口部(45)对应的位置的膜(31)的厚度D[μm]满足T1<tan(54.6°)×W1且D≥tan(54.6°)×W1的关系。 | ||
| 申请公布号 | CN105576013A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201510718653.8 | 申请日期 | 2015.10.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 渡边幸宗 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆;任梅 |
| 主权项 | 一种带碳化硅膜基板，其特征在于，包括：硅基板；第一掩膜，形成在所述硅基板的一部分上；第一碳化硅膜，形成在所述硅基板上以及所述第一掩膜上；第二掩膜，至少形成在所述第一碳化硅膜的一部分上；以及第二碳化硅膜，形成在所述第一碳化硅膜上以及所述第二掩膜上，所述第一掩膜具有多个使所述硅基板露出的第一开口部，所述第一碳化硅膜形成为覆盖所述第一开口部和所述第一掩膜，并在所述第一掩膜的上部具有侧面是倾斜面的凹部，所述第二掩膜形成于所述凹部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||