一种LED外延片加工工艺

摘要

本发明公开一种LED外延片加工工艺，其包括如下步骤：固定：将单晶硅棒固定在加工台上；切片：将单晶硅棒切成薄硅片；退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形；分档检测；研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层；清洗：通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质；RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。本发明不仅工序简单，对设备要求低，而且生产出的LED外延片残次率较低。

主权项

一种LED外延片加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：S101、固定：将单晶硅棒固定在加工台上；S102、切片：将单晶硅棒切成薄硅片；S103、退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400‑550℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；S104、倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形；S105、分档检测；S106、研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层；S107、清洗：通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质；S108、RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。