半导体结构的制造方法

摘要

半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤。形成图案化的闸层于半导体基底上。形成补偿层于图案化的闸层外侧的半导体基底上。形成沟槽于补偿层与半导体基底中。形成磊晶层于沟槽中。形成补偿层的步骤系介于形成图案化的闸层的步骤与形成磊晶层的步骤之间。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：形成一图案化的闸层于一半导体基底上；形成一补偿层于该图案化的闸层外侧的该半导体基底上，其中该补偿层的材料包括矽、矽化锗(SiGe)、碳化矽(SiC)或掺杂矽；形成一沟槽于该补偿层与该半导体基底中；以及形成一磊晶层于该沟槽中，其中形成该补偿层的步骤系介于形成该图案化的闸层的步骤与形成该磊晶层的步骤之间。