藉由固相扩散形成超浅硼掺杂区域之方法

摘要

一种在基板中形成超浅硼掺杂物区域之方法。在一实施例中，该方法包括利用原子层沉积(ALD)沉积一硼掺杂物层与该基板直接接触，其中该硼掺杂物层包含藉由硼胺前驱物或有机硼前驱物及反应物气体之交替气体暴露所形成之氧化物、氮化物、或氮氧化物。该方法更包括图案化该硼掺杂物层、以及藉由热处理使硼从该硼掺杂物层扩散至该基板中，在该基板中形成该超浅硼掺杂物区域。

主权项

一种在基板中形成超浅硼掺杂物区域之方法，该方法包括：利用原子层沉积(ALD)沉积一硼掺杂物层与该基板直接接触，该硼掺杂物层包含(i)氮化物、或(ii)氮氧化物，其中(i)及(ii)系藉由硼胺前驱物或有机硼前驱物及反应物气体之交替气体暴露所形成，其中在(i)的情况中，该反应物气体包括NH3，而在(ii)的情况中，该反应物气体包括a)H2O、O2、或O3、及NH3、或b)NO、NO2、或N2O、及选择性的H2O、O2、O3、及NH3之一或多者；图案化该硼掺杂物层；及藉由热处理使硼从该经图案化的硼掺杂物层扩散至该基板中，在该基板中形成该超浅硼掺杂物区域。