| 摘要 |
Des première, deuxième et troisième séries d'échantillons (F7, F9, F11) sont réalisées successivement de manière à déterminer l'influence des paramètres de dépôt sur la qualité cristallographique d'une couche en matériau semi-conducteur de type III-V (F8, F10, F12). Les paramètres étudiés sont successivement la pression de dépôt, la température de dépôt et l'épaisseur déposée d'une sous-couche en matériau semi-conducteur de type III-V de manière à déterminer respectivement une premier pression de dépôt, une première température de dépôt à la première pression de dépôt et une première épaisseur déposée à la première température de dépôt et à la première pression de dépôt. La sous-couche en matériau semi-conducteur de type III-V est épaissie au moyen d'une deuxième couche en matériau semi-conducteur de type III-V déposée dans des conditions différentes. |
