| 发明名称 | 半导体器件测试样品的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件测试样品的制作方法，包括：提供衬底；对所述衬底进行至少一次氧化处理，所述氧化处理包括在衬底表面形成氧化层以及去除氧化层的步骤，经过氧化处理后，当所述衬底上具有凹痕类缺陷时，所述凹痕类缺陷的尺寸增大。对测试样品进行检测，晶圆检测设备能够较灵敏地在线捕捉到衬底表面的凹痕类的缺陷，对此类缺陷进行及时的监控。 | ||
| 申请公布号 | CN103822813B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410086119.5 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 干正宇;袁力;徐瑛;韩超;熊鹏;王慧 |
| 分类号 | G01N1/28(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件测试样品的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；对所述衬底进行至少一次氧化处理，所述氧化处理包括在衬底表面形成氧化层以及去除氧化层的步骤，以在所述衬底上具有凹痕类缺陷时增大所述凹痕类缺陷的尺寸；其中，所述氧化处理为热氧化工艺；所述衬底为硅衬底，在热氧化工艺的步骤中，热氧化工艺在半导体设备中进行，在半导体设备中通入氧气和氢气，并进行加热，在所述衬底表面形成氧化硅层；所述氧化硅层的厚度为800到1200埃；对所述衬底进行一次氧化处理，以在所述衬底上具有凹痕类缺陷时使所述凹痕类缺陷的开口口径增大量为320埃到480埃；或，对所述衬底进行两次氧化处理以在所述衬底上具有凹痕类缺陷时使所述凹痕类缺陷的开口口径增大量为640埃到960埃。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||