发明名称 |
一种利用CO<sub>2</sub>激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种利用CO<sub>2</sub>激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法。该方法首先制备聚硅氧烷材料的混合溶液,采用刷涂或喷涂法在铁基金属表面制备涂层A;在惰性气体保护下,使用连续高能可控激光扫描涂层A,使其发生反应,生成SiOC陶瓷涂层。本发明通过激光裂解聚硅氧烷材料制备陶瓷涂层,其制备周期短,陶瓷表面光滑且孔隙率低,所得陶瓷涂层具有良好的防腐耐磨特性。本发明为解决单纯铁基金属材料难以在某些苛刻工况下可靠服役提供了新的方法。 |
申请公布号 |
CN105568263A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201610140988.0 |
申请日期 |
2016.03.11 |
申请人 |
中国人民解放军装甲兵工程学院 |
发明人 |
刘军;乔玉林;薛胤昌;张平;臧艳 |
分类号 |
C23C18/14(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I |
主分类号 |
C23C18/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京智为时代知识产权代理事务所(普通合伙) 11498 |
代理人 |
王加岭;杨静 |
主权项 |
一种利用CO<sub>2</sub>激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法,其特征在于:制备聚硅氧烷材料混合溶液,采用刷涂或喷涂法将其均匀涂覆在铁基金属表面,室温干燥后获得涂层A;在惰性气体保护下采用连续高能可控激光扫描涂层A,从而在铁基金属表面制备陶瓷涂层。 |
地址 |
100072 北京市丰台区杜家坎21号 |