发明名称 |
薄膜晶体管基板的制备方法、薄膜晶体管基板和液晶面板 |
摘要 |
本发明提供了一种薄膜晶体管基板的制备方法,包括依次在衬底上形成栅极、栅极绝缘层、源极与有源层、钝化层、漏极与像素电极,栅极、栅极、栅极绝缘层、源极与有源层、钝化层、漏极与像素电极在衬底上的正投影均为互相同心的中心对称图形。本发明还提供了一种薄膜晶体管基板,以及具有所述薄膜晶体管基板的液晶面板。本发明的薄膜晶体管基板的制备方法、薄膜晶体管基板及具有所述薄膜晶体管基板的液晶面板,使得薄膜晶体管在各个弯曲方向上的电学特性均匀一致;且使得薄膜晶体管在弯曲时不易发生应力损坏,提升了薄膜晶体管的可靠性。 |
申请公布号 |
CN105575910A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201610153360.4 |
申请日期 |
2016.03.17 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
姚江波 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫;熊永强 |
主权项 |
一种薄膜晶体管基板的制备方法,所述薄膜晶体管基板具有衬底,其特征在于,所述制备方法包括:在所述衬底上形成栅极,所述栅极在所述衬底上的正投影为第一中心对称图形;在所述栅极上形成栅极绝缘层,所述栅极绝缘层在所述衬底上的正投影为与所述第一中心对称图形同心的中心对称图形;在所述栅极绝缘层上形成有源层以及源极,所述源极围绕在所述有源层的外周缘,所述源极在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影均为与所述第一中心对称图形同心的中心对称图形;在所述源极及所述有源层上形成钝化层,所述钝化层在所述衬底上的正投影为与所述第一中心对称图形同心的中心对称图形,所述钝化层上对应所述有源层的区域设有导通孔,所述导通孔的轴线通过所述第一中心对称图形的对称中心;在所述导通孔内生成漏极,所述漏极与所述有源层电连接;在所述钝化层和所述绝缘保护层上生成像素电极,所述像素电极的一端与所述漏极相连。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |