有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块和集成功率模块

摘要

本发明的各实施例涉及具有直接铜键合衬底和集成无源部件的功率半导体模块以及集成功率模块。一种功率半导体模块包括：直接铜键合(DCB)衬底，DCB衬底具有：陶瓷衬底；第一铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的第一主要表面上；以及第二铜金属化结构，其键合至陶瓷衬底的与第一主要表面相对的第二主要表面上。该功率半导体模块进一步包括：功率半导体裸片，其附接第一铜金属化结构；无源部件，其附接第一铜金属化结构，第一隔离层，第一结构化金属化层，其在第一隔离层上；以及多个第一导电过孔，其通过第一隔离层从第一结构化的金属化层延伸至功率半导体裸片和无源部件。还提供了一种集成功率模块、以及一种制造该集成功率模块的方法。

主权项

一种集成功率模块，包括：功率半导体模块，包括：第一功率半导体裸片，附接至绝缘衬底的金属化侧；第一隔离层，包封所述第一功率半导体裸片；以及第一结构化的金属化层，在所述第一隔离层上，并且至少通过延伸通过所述第一隔离层的多个第一导电过孔而电连接至所述第一功率半导体裸片；第二隔离层，在所述功率半导体模块上；多个第二导电过孔，通过所述第二隔离层延伸至所述第一结构化的金属化层；以及第一逻辑或无源半导体裸片，包封在所述第二隔离层之中或者包封在所述第二隔离层上方的隔离层之中，所述第一逻辑或无源半导体裸片至少通过所述第一结构化的金属化层和所述多个第一导电过孔而电连接至所述第一功率半导体裸片，或者电连接至所述集成功率模块内设置的另外的半导体裸片。