一种高透光倒装式LED芯片结构

摘要

本实用新型涉及一种高透光倒装式LED芯片结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底表面自下而上依次生长的外延N型GaN层、量子阱层和外延P型GaN层，其创新点在于：所述外延P型GaN层的上表面自下而上依次蒸镀有ITO导电层和银反射镜层，所述银反射镜层上设有P电极，外延N型GaN层上设有N电极；且所述ITO导电层上刻蚀有若干排均匀分布且贯穿整个ITO导电层的透光孔，所述相邻排的透光孔间隔分布构成多个等边三角形阵列。本实用新型的优点在于：本实用新型中，通过在ITO导电层上设置贯穿整个ITO导电层的透光孔，提高该层的透光率，而透光孔的等边三角形阵列分布则确保不影响通过该ITO导电层的电流分布，避免提高透光率后损失其他性能。

主权项

一种高透光倒装式LED芯片结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底表面自下而上依次生长外延N型GaN层、量子阱层和外延P型GaN层，其特征在于：所述外延P型GaN层的上表面自下而上依次蒸镀有ITO导电层和银反射镜层，所述银反射镜层上设有P电极，外延N型GaN层上设有N电极；且所述ITO导电层上刻蚀有若干排均匀分布且贯穿整个ITO导电层的透光孔，所述相邻排的透光孔间隔分布构成多个等边三角形阵列。