发明名称 |
一种生长氮化铝单晶用坩埚 |
摘要 |
本实用新型公开了一种生长氮化铝单晶用坩埚,该坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环;其中,坩埚盖下表面设置有下凸台;导流环为上大下小的梯形圆环;下凸台下表面的边缘与导流环的上沿间隙配合;坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起,导流环的下沿与凸起间隙配合;下凸台和导流环的侧面均与坩埚筒的内表面间隙配合;坩埚盖、导流环和坩埚筒由上到下依次连接构成坩埚。本申请提供一种新型的坩埚结构,该坩埚更有利于在高温下,氮化铝单晶的形核和晶体的生长。 |
申请公布号 |
CN205223407U |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201520941670.3 |
申请日期 |
2015.11.24 |
申请人 |
北京华进创威电子有限公司 |
发明人 |
刘京明;杨俊;刘彤;董志远;赵有文 |
分类号 |
C30B23/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I |
主分类号 |
C30B23/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 |
代理人 |
尹振启 |
主权项 |
一种生长氮化铝单晶用坩埚,其特征在于,所述坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环;其中,所述坩埚盖下表面设置有下凸台;所述导流环为上大下小的梯形圆环;所述下凸台下表面的边缘与所述导流环的上沿间隙配合;所述坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起,导流环的下沿与所述凸起间隙配合;所述下凸台和导流环的侧面均与所述坩埚筒的内表面间隙配合;所述坩埚盖、导流环和坩埚筒由上到下依次连接构成所述坩埚。 |
地址 |
101111 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 |