发明名称 一种生长氮化铝单晶用坩埚
摘要 本实用新型公开了一种生长氮化铝单晶用坩埚,该坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环;其中,坩埚盖下表面设置有下凸台;导流环为上大下小的梯形圆环;下凸台下表面的边缘与导流环的上沿间隙配合;坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起,导流环的下沿与凸起间隙配合;下凸台和导流环的侧面均与坩埚筒的内表面间隙配合;坩埚盖、导流环和坩埚筒由上到下依次连接构成坩埚。本申请提供一种新型的坩埚结构,该坩埚更有利于在高温下,氮化铝单晶的形核和晶体的生长。
申请公布号 CN205223407U 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201520941670.3 申请日期 2015.11.24
申请人 北京华进创威电子有限公司 发明人 刘京明;杨俊;刘彤;董志远;赵有文
分类号 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I 主分类号 C30B23/00(2006.01)I
代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人 尹振启
主权项 一种生长氮化铝单晶用坩埚,其特征在于,所述坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环;其中,所述坩埚盖下表面设置有下凸台;所述导流环为上大下小的梯形圆环;所述下凸台下表面的边缘与所述导流环的上沿间隙配合;所述坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起,导流环的下沿与所述凸起间隙配合;所述下凸台和导流环的侧面均与所述坩埚筒的内表面间隙配合;所述坩埚盖、导流环和坩埚筒由上到下依次连接构成所述坩埚。
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