半导体装置及其制造方法

摘要

明之目标为提供具有新颖结构之半导体装置，其中包括氧化物半导体之电晶体及包括非氧化物半导体之半导体材料之电晶体堆叠。该半导体装置包括第一电晶体、该第一电晶体上之绝缘层、及该绝缘层上之第二电晶体。在该半导体装置中，该第一电晶体包括第一通道形成区，该第二电晶体包括第二通道形成区，该第一通道形成区包括与该第二通道形成区之半导体材料不同的半导体材料，及该绝缘层包括表面其均方根表面粗糙度为小于或等于1 nm。

主权项

一种半导体装置，包含第一电晶体；该第一电晶体上之绝缘层；及该绝缘层上之第二电晶体，其中该第一电晶体包含：第一通道形成区；配置于该第一通道形成区上之第一闸极绝缘层；该第一闸极绝缘层上与该第一通道形成区重叠之第一闸极电极；及电性连接该第一通道形成区之第一源极电极，及电性连接该第一通道形成区之第一汲极电极，其中该第二电晶体包含：包括氧化物半导体之第二通道形成区；电性连接该第二通道形成区之第二源极电极，及电性连接该第二通道形成区之第二汲极电极；与该第二通道形成区重叠之第二闸极电极；及配置于该第二通道形成区与该第二闸极电极之间的第二闸极绝缘层，其中该第一通道形成区包括与该第二通道形成区之半导体材料不同的半导体材料，其中该绝缘层包括其均方根表面粗糙度为小于或等于1nm之表面，其中该第一闸极电极之顶面暴露而包括于与该绝缘层
之相同表面中，及其中该第一闸极电极及该第二源极电极或该第二汲极电极于该第一闸极电极之该顶面上接触彼此。