半导体装置及其制造方法

摘要

体装置包含基板，其包含第一层以及位于该第一层上方的第二层，位于该第二层上方的凸块，位于该第二层上方且环绕该凸块的模塑物，以及位于该第二层上方的支持物，其中该支持物系位于该模塑物与该基板的周围之间。再者，制造半导体装置的方法包含提供基板，放置一些凸块于该基板上，放置支持物于该基板上且环绕该凸块，以及放置模塑物于该凸块与该支持物之间。

主权项

一种半导体装置，其包括：一基板，其包含一第一层以及位于该第一层上方的一第二层；一凸块，其系位于该第二层上方；一模塑物，其系位于该第二层上方且环绕该凸块，其中该第二层包含一突出部，该突出部系从与该基板之一周围相邻的该模塑物之一侧壁突出；以及一支持物，其系位于该第二层上方，其中该支持物系位于该模塑物与该基板的一周围之间，且该支持物包含氮化矽(SiN)、二氧化矽(SiO2)或氮氧化矽(SiON)。