一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法。在惰性气氛中，将硫源与钼源蒸汽接触并进行化学气相沉积，以在衬底上形成竖立的二硫化钼纳米薄片；所述化学气相沉积的反应条件为：反应温度为690～750℃，反应时间为5～60min。所述二硫化钼纳米薄片的形貌特殊、尺寸均匀，绝大部分为单层，并且能实现大面积均匀生长；其大小在0.3～2μm，厚度<1nm。本发明与传统的制备二硫化钼片层的方法相比，工艺简单，操作方便，易于实现大规模生产，对实验环境要求较低；采用二硫化碳取代传统的固相或气相硫源，不仅能克服固态硫源不能精确控制硫源通入以及截止的时间点的缺陷，同时能避免使用易燃、易爆的气态硫源的安全隐患。

主权项

一种二硫化钼纳米薄片的制备方法，其特征在于，在惰性气氛中，将硫源与钼源蒸汽接触并进行化学气相沉积，以在衬底上形成竖立的二硫化钼纳米薄片；所述化学气相沉积的反应条件为：反应温度为690～750℃，反应时间为5～60min；其中，所述钼源为三氧化钼，所述硫源为二硫化碳；所述二硫化碳通过随载气导入的方式加入；所述制备方法制得竖立的二硫化钼纳米薄片，所述二硫化钼纳米薄片的形貌特殊、尺寸均匀、绝大部分为单层，并且能实现大面积均匀生长；其大小在0.3～2μm，厚度<1nm。