发明名称 |
一种二硫化钼纳米管的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二硫化钼纳米管的制备方法,其特征在于:以纤维状碳纳米材料为模板,制得均质的二硫化钼包覆的C-MoS<sub>2</sub>同轴纳米管;然后在流动的CO<sub>2</sub>气氛下高温煅烧所述均质的二硫化钼包覆的C-MoS<sub>2</sub>同轴纳米管,以去除碳组分,即得二硫化钼纳米管。本发明所获得的二硫化钼纳米管的壁厚可以通过改变C-MoS<sub>2</sub>同轴纳米管中MoS<sub>2</sub>包覆层厚度来控制,且本发明在纤维状碳纳米材料表面突起或者急速弯曲的地方,二硫化钼包覆会出现缺口或断口,由此制备的二硫化钼纳米管也会出现相应的结构缺陷,这些缺陷可以增加纳米管表面的边缘活性位,使其具有更加优异的光电和催化性能。 |
申请公布号 |
CN104386753B |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201410676448.5 |
申请日期 |
2014.11.21 |
申请人 |
合肥工业大学 |
发明人 |
凤仪;刘文宏;钱刚;苗世顶;豆亚坤;黄晓晨;丁冬冬;汤海;张学斌 |
分类号 |
C01G39/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G39/06(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 |
代理人 |
何梅生 |
主权项 |
一种二硫化钼纳米管的制备方法,其特征在于:以纤维状碳纳米材料为模板,制得均质的二硫化钼包覆的C‑MoS<sub>2</sub>同轴纳米管;然后在流动的CO<sub>2</sub>气氛下高温煅烧所述均质的二硫化钼包覆的C‑MoS<sub>2</sub>同轴纳米管,以去除碳组分,即得二硫化钼纳米管;所述CO<sub>2</sub>的纯度为80‑100%,流速为1‑10000mL/min;所述高温煅烧的煅烧温度为600℃~1500℃,煅烧时间为1h~96h。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 |