发明名称 一种二硫化钼纳米管的制备方法
摘要 本发明公开了一种二硫化钼纳米管的制备方法,其特征在于:以纤维状碳纳米材料为模板,制得均质的二硫化钼包覆的C-MoS<sub>2</sub>同轴纳米管;然后在流动的CO<sub>2</sub>气氛下高温煅烧所述均质的二硫化钼包覆的C-MoS<sub>2</sub>同轴纳米管,以去除碳组分,即得二硫化钼纳米管。本发明所获得的二硫化钼纳米管的壁厚可以通过改变C-MoS<sub>2</sub>同轴纳米管中MoS<sub>2</sub>包覆层厚度来控制,且本发明在纤维状碳纳米材料表面突起或者急速弯曲的地方,二硫化钼包覆会出现缺口或断口,由此制备的二硫化钼纳米管也会出现相应的结构缺陷,这些缺陷可以增加纳米管表面的边缘活性位,使其具有更加优异的光电和催化性能。
申请公布号 CN104386753B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201410676448.5 申请日期 2014.11.21
申请人 合肥工业大学 发明人 凤仪;刘文宏;钱刚;苗世顶;豆亚坤;黄晓晨;丁冬冬;汤海;张学斌
分类号 C01G39/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01G39/06(2006.01)I
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人 何梅生
主权项 一种二硫化钼纳米管的制备方法,其特征在于:以纤维状碳纳米材料为模板,制得均质的二硫化钼包覆的C‑MoS<sub>2</sub>同轴纳米管;然后在流动的CO<sub>2</sub>气氛下高温煅烧所述均质的二硫化钼包覆的C‑MoS<sub>2</sub>同轴纳米管,以去除碳组分,即得二硫化钼纳米管;所述CO<sub>2</sub>的纯度为80‑100%,流速为1‑10000mL/min;所述高温煅烧的煅烧温度为600℃~1500℃,煅烧时间为1h~96h。
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号